توسط : چین با حافظه PoX سریع ترین فناوری ذخیره‌سازی جهان را معرفی کرد
محققان دانشگاه فودان چین با معرفی حافظه فلش غیرفرار PoX، رکورد سریع‌ترین دستگاه ذخیره‌سازی نیمه‌هادی جهان را شکستند. این حافظه قادر است یک بیت را در تنها ۴۰۰ پیکوثانیه برنامه‌ریزی کند، معادل ۲۵ میلیارد عملیات در ثانیه. این سرعت، PoX را ۱۰۰ هزار برابر سریع‌تر از فناوری های فلش کنونی قرار می‌دهد و نویدبخش تحولی عظیم در صنعت ذخیره‌سازی داده است. این دستاورد، گامی بزرگ برای پاسخگویی به نیازهای روزافزون سخت‌افزارهای هوش مصنوعی و دستگاه‌های کم‌مصرف است.
مقایسه PoX با حافظه‌های سنتی
حافظه های مرسوم مانند RAM استاتیک (SRAM) و دینامیک (DRAM) داده‌ها را در ۱ تا ۱۰ نانوثانیه می‌نویسند، اما با قطع برق، تمام اطلاعات خود را از دست می‌دهند. در مقابل، حافظه های فلش سنتی داده‌ها را بدون نیاز به برق حفظ می‌کنند، اما سرعت نوشتن آن‌ها در حد میکروثانیه یا میلی‌ثانیه است که برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی مدرن، که نیاز به پردازش لحظه‌ای ترابایت‌ها داده دارند، بسیار کند است. PoX با ترکیب سرعت بی‌نظیر و غیرفرار بودن، این شکاف را پر می‌کند و راه‌حلی ایده‌آل برای آینده ارائه می‌دهد.
بازطراحی انقلابی فیزیک حافظه فلش
تیم تحقیقاتی به رهبری پروفسور ژو پنگ از آزمایشگاه دولتی تراشه‌ها و سیستم‌های یکپارچه در دانشگاه فودان، با جایگزینی کانال‌های سیلیکونی سنتی با گرافن دوبعدی و بهره‌گیری از مکانیزم انتقال بالستیک بار الکتریکی، فیزیک حافظه فلش را بازطراحی کرده‌اند. این نوآوری، سرعت بی‌سابقه‌ای را به PoX بخشیده و آن را به گزینه‌ای مناسب برای کاربردهای پیشرفته تبدیل کرده است. استفاده از گرافن همچنین سازگاری این فناوری با فرآیندهای تولید مدرن مواد دوبعدی را تضمین می‌کند.
💠💠بیشتر بخوانید:
- ارزش بازار اپل پس از لغو موقت تعرفه‌ها به ۳ تریلیون دلار رسید
- مشکلات کارت‌های گرافیک RTX 40 با درایور جدید انویدیا
- حافظه SSD S5 از UNIS: سریع‌ترین در PCIe 5 با 14.9 گیگابایت برثانیه
اهمیت غیرفرار بودن و مصرف انرژی پایین
حافظه PoX به دلیل غیرفرار بودن، داده‌ها را بدون نیاز به منبع تغذیه حفظ می‌کند، ویژگی‌ای که برای سیستم‌های هوش مصنوعی در لبه (Edge AI) و دستگاه‌های با محدودیت باتری حیاتی است. ترکیب سرعت پیکوثانیه‌ای با مصرف انرژی ناچیز، PoX را به راه‌حلی ایده‌آل برای رفع گلوگاه‌های حافظه در سخت‌افزارهای هوش مصنوعی تبدیل می‌کند، جایی که جابه‌جایی داده‌ها، نه محاسبات، بیشترین انرژی را مصرف می‌کند. این ویژگی می‌تواند مصرف انرژی کلی سیستم‌های محاسباتی را به‌طور چشمگیری کاهش دهد.
تأثیر PoX بر صنعت نیمه‌هادی و رقابت جهانی
حافظه فلش یکی از ستون‌های اصلی صنعت نیمه‌هادی جهانی است و کارشناسان معتقدند دستاورد فودان با ارائه یک مکانیزم کاملاً جدید، پتانسیل ایجاد تحولی عظیم در این حوزه را دارد. این فناوری می‌تواند موقعیت چین را در رقابت جهانی برای رهبری فناوری‌های تراشه تقویت کند، به‌ویژه در زمانی که کشورها برای خودکفایی در تولید نیمه‌هادی‌ها تلاش می‌کنند. هرچند جزئیات مربوط به دوام و بازده تولید PoX هنوز منتشر نشده، اما استفاده از گرافن دوبعدی نشان‌دهنده سازگاری آن با خطوط تولید پیشرفته جهانی است.
آینده PoX و کاربردهای بالقوه
پروفسور ژو پنگ در این باره اظهار داشت:
«این پیشرفت می‌تواند فناوری ذخیره‌سازی را بازتعریف کند، به‌عنوان محرکی برای ارتقای صنعت عمل کند و درهای جدیدی به روی کاربردهای نوآورانه بگشاید.»
در صورت تولید انبوه، حافظه‌های PoX می‌توانند نیاز به کش‌های SRAM پرسرعت در تراشه‌های هوش مصنوعی را حذف کنند، که منجر به کاهش چشمگیر مصرف انرژی و فضای اشغالی در تراشه‌ها می‌شود. این فناوری همچنین می‌تواند امکان ساخت گوشی‌ها و لپ‌تاپ‌هایی با روشن شدن آنی و مصرف انرژی فوق‌العاده پایین را فراهم کند، تجربه کاربری را بهبود بخشد و عمر باتری را به‌طور قابل‌توجهی افزایش دهد.
گام‌های بعدی در توسعه PoX
مهندسان فودان در حال حاضر روی توسعه معماری سلولی و انجام آزمایش‌های سطح آرایه‌ای برای بهبود عملکرد PoX تمرکز دارند. اگرچه هنوز نامی از شرکای تجاری این پروژه برده نشده، اما کارخانه‌های چینی در حال رقابت برای ادغام مواد دوبعدی در خطوط تولید CMOS هستند. این تلاش‌ها نشان‌دهنده عزم چین برای پیشبرد فناوری‌های پیشرفته و کاهش وابستگی به تأمین‌کنندگان خارجی است. انتظار می‌رود در آینده نزدیک، اخبار بیشتری درباره تجاری‌سازی PoX منتشر شود.
[منبع: interestingengineering.com]
