توسط : گسترش فناوری خودروهای الکتریکی با تراشه‌های پیشرفته IGBT ولتاژ بالا از Infineon
Infineon Technologies AG با معرفی نسل جدیدی از نیمه هادی های پیشرفته، به نیاز رو به رشد برای راهکارهای IGBT ولتاژ بالا در صنعت خودرو پاسخ می‌دهد. این مجموعه شامل تراشه‌های نسل سوم EDT3 (پیشرانه الکتریکی) است که با پشتیبانی از سیستم‌های 400 و 800 ولت طراحی شده‌اند، همراه با تراشه‌های RC-IGBT که به‌طور خاص برای معماری‌های 800 ولت بهینه‌سازی شده‌اند. این فناوری‌های نوآورانه، عملکرد و بهره‌وری سیستم‌های پیشرانه الکتریکی را به‌طور چشمگیری بهبود می‌بخشند و برای کاربردهای متنوع خودرویی ایده‌آل هستند.
تراشه‌های EDT3 و RC-IGBT به‌صورت قالب‌های لخت طراحی شده‌اند تا کیفیت بالا و عملکرد قابل‌اعتماد را ارائه دهند. این تراشه‌ها به توسعه‌دهندگان امکان می‌دهند ماژول‌های قدرت سفارشی و کارآمد طراحی کنند. نسل EDT3 در مقایسه با مدل قبلی خود، EDT2، تا 20 درصد تلفات انرژی کمتری در شرایط بار بالا دارد، درحالی‌که همچنان کارایی بالایی را در بارهای کم حفظ می‌کند. این پیشرفت نتیجه بهینه‌سازی‌های دقیق در طراحی تراشه است که تلفات الکتریکی را کاهش داده و امکان کار در دماهای بالاتر را فراهم می‌کند. این ویژگی‌ها به خودروهای الکتریکی مجهز به EDT3 کمک می‌کند تا برد بیشتری داشته باشند، مصرف انرژی کمتری داشته باشند و راه را برای حمل‌ونقل پایدار و اقتصادی‌تر هموار کنند.
تراشه‌های EDT3 در کلاس‌های ولتاژ 750 و 1200 ولت عرضه می‌شوند و قادر به ارائه جریان‌های خروجی بالا هستند. این ویژگی آن‌ها را برای اینورترهای اصلی در انواع خودروهای الکتریکی، از جمله خودروهای تمام‌الکتریکی (BEV)، هیبریدی پلاگین (PHEV) و خودروهای با برد گسترده (REEV)، مناسب می‌سازد. طراحی فشرده و بهینه این تراشه‌ها به ساخت ماژول‌های قدرت کوچک‌تر کمک می‌کند و هزینه‌های کلی سیستم را کاهش می‌دهد. با حداکثر دمای اتصال 185 درجه سانتی‌گراد و ولتاژ کلکتور-امیتر تا 750 و 1200 ولت، این تراشه‌ها برای کاربردهای خودرویی با عملکرد بالا ایده‌آل هستند و پیشرانه‌هایی کارآمد، قابل‌اعتماد و با برد طولانی‌تر را ممکن می‌سازند.
تراشه RC-IGBT با ولتاژ 1200 ولت، با ادغام عملکردهای IGBT و دیود در یک قالب واحد، نوآوری بیشتری ارائه می‌دهد. این طراحی چگالی جریان بالاتری نسبت به تراشه‌های جداگانه IGBT و دیود فراهم می‌کند و با افزایش چگالی توان، مقیاس‌پذیری اندازه قالب و کاهش پیچیدگی مونتاژ، هزینه‌های سیستم را کاهش می‌دهد. این مزایا به طراحی‌های ساده‌تر و اقتصادی‌تر منجر می‌شود.
Infineon فناوری EDT3 IGBT را در ماژول‌های قدرت HybridPACK Drive G2 نیز ادغام کرده است که عملکرد بهبودیافته‌ای را در کل مجموعه ارائه می‌دهد. این ماژول‌ها با پشتیبانی از توان تا 250 کیلووات در کلاس‌های 750 و 1200 ولت، قابلیت‌های پیشرفته‌ای مانند سنسورهای جریان فاز نسل بعدی و سنجش دمای روی تراشه را ارائه می‌دهند. این ویژگی‌ها به کاهش هزینه‌ها و بهبود یکپارچگی سیستم کمک می‌کنند.
برای پاسخگویی به نیازهای متنوع مشتریان، تراشه‌ها با چیدمان‌های سفارشی، از جمله سنسورهای دما و جریان یکپارچه، عرضه می‌شوند. همچنین، گزینه‌هایی برای متالیزاسیون مناسب فرآیندهای زینترینگ، لحیم‌کاری و اتصال سیمی در دسترس است که انعطاف‌پذیری بیشتری برای تولید و یکپارچه‌سازی ماژول فراهم می‌کند.
